مشخصات ماسفت IRF9Z34N
ماسفت IRF9Z34N از خانواده
Transistors - FETs - MOSFETs میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس
دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Infineon
- بسته بندی Unpacked
- ماهیت محصول IRF9Z34N
- نوع FET P-CH Single
- جریان درین (Id) (حداکثر) 19A
- ولتاژ درین سورس (Vdss) 55V
- حداکثر Rds در حالت روشن در Id و Vgs 0.1 ohm @ 10A/10V
- حداکثر آستانه Vgs در Id 4V @ 250uA
- حداکثر Vgs ±20V
- حداکثر بار گیت در Vds 35nC @ 10V
- حداکثر خازن ورودی در Vds 620pF @ 25V (Typ)
- اتلاف توان 68W(Tc)
- ویژگی خاص Avalanche
- فناوری FET HEXFET
- مارکینگ F9Z34N
- پکیج TO220-3
- نوع نصب Through Hole
- دمای عملکرد -55°C ~ +175°C (Tj)
- وضعیت تولید Active
متوسط امتیاز ها :
0
0 رأیهیچ دیدگاهی وجود ندارد
شما اولین نفری باشید که نظر خود را به اشتراک می گذارد. دیدگاه شما میتواند برای دیگران مفید باشد.